“Elavult” a pár hete bemutatott Intel processzor

Alig egy hónapja számoltunk be az Intel vadonatúj, Penryn kódnévre hallgató Core i7 processzoráról (bővebben itt), amit még alig lehet kapni a boltokban, és máris itt a következő generációs CPU. A chipgyártó ugyanis tegnap bejelentette, hogy befejezte új-generációs gyártási eljárásának kifejlesztését, amely a chipek áramkörében található vezetőszálak szélességét 32 nanométeresre csökkenti. A technológia magában foglalja a második generációs magas K együtthatós fémkapus technológiát, valamint 193 nanométeres levilágítókat használ, amelyek fontosak a minták rajzolásához, illetve továbbfejlesztett tranzisztor-nyújtási technológiákat alkalmaz. A vállalat hamarosan kész lesz a jövő generáció gyártására is, amely energiahatékonyabb, nagyobb teljesítményű tranzisztorokat kínál 2009 negyedik negyedévére.

Az Intel jövő héten, a San Francisco-i International Electron Devices (IEDM) rendezvényen ad részletesebb technikai információt a 32 nanométeres gyártási technológiáról. A 32 nanométeres technológia fejlesztésének lezárása és az a tény, hogy hamarosan gyártásra készen áll, azt jelenti, hogy az Intel továbbra is képes tartani az ún.”tick-tock” stratégiában meghatározott termék és gyártás-technológia kifejlesztési ütemét. A stratégia alapján a vállalat az egyik évben új processzor mikroarchitektúrát mutat be, majd a következő évben egy az egész iparágban is teljesen új gyártási technológiát. A 32 nanométeres chipek jövő évi bemutatkozása azt jelentheti, hogy az Intel már negyedik éve folyamatosan képes megfelelni ennek a célkitűzésének.

Más Intel IEDM publikációk olyan témákkal foglalkoznak, mint a vállalat 45 nanométeres félvezető eljárásának alacsony fogyasztású logikák, mint például integrált rendszerchipek (SoC, System-on-chip) előállítására optimalizált változata; félvezető vegyületekből felépülő tranzisztorok; a 45 nanométeres tranzisztorok teljesítményét fokozó szubsztrátum-fejlesztések; a 45 nanométeres generációtól kezdődően a kémiai-mechanikai csiszolás integrációja; valamint szilíciumból felépülő optikai modulátorok mátrixának integrációja.