Áttörés processzorfronton

Az Intel felfedte két, szigetelő falakhoz és kapukhoz alkalmazható alapanyagát, melyeket 45 nanométeres (nm) csíkszélességgel gyártott tranzisztoraihoz használ a jövőben. Az Intel Core 2 Duo, Intel Core 2 Quad and Xeon többmagos processzorcsaládokat több száz millió mikroszkópikus méretű tranzisztor, vagy kapcsoló építi majd fel. A vállalat bejelentette, hogy öt termék korai verziója is napvilágot lát a tervezett 15 darab 45 nanométeres termékvonalból.

A tranzisztorok elektromos szivárgása – amely nagyban befolyásolja a lapkák, PC-k felépítését, méretét, energiafogyasztását, zajszintjét és költségeit – az új fejlesztésnek köszönhetően jelentősen csökken és ismét igazolódik Moore törvénye, amely szerint az integrált áramkörökben lévő tranzisztorok száma minden 2 évben megduplázódik. A vállalat egy újfajta, magas k-együtthatójú (high-k) anyagot használ a tranzisztorkapu szigeteléseként, illetve egy új fémötvözetet kapuelektródaként. „A poliszilícium-kapus MOS tranzisztorok bevezetése óta a magas k-együtthatójú anyagok és a fémek megjelenése jelenti a legnagyobb áttörést a tranzisztortechnológiában.” – mondta Gordon Moore, az Intel társalapítója.

A tranzisztorok apró kapcsolók, melyek a digitális világ egyeseit és nulláit dolgozzák fel. A kapu kapcsolja ki és be a tranzisztort, a kapuelektróda pedig az alatta található szigetelőréteg, amely elválasztja a csatornától, ahol az áram folyik. A fém kapu és a magas k-együtthatójú dielektrikum kombinációja nagyon alacsony szivárgású és rekordteljesítményű tranzisztorokat eredményez. Összehasonlításképpen: egy emberi vörösvérsejt felületén 400 darab, Intel 45 nm-es csíkszélességgel készült tranzisztora férne el. Éppen csak egy évtizeddel ezelőtt, a processzorgyártás technológiájának a csúcsa a 250 nm-es csíkszélesség volt, ez, az Intel ma bejelentett technológiájának ismeretében vastagságban körülbelül 5,5-szörös, területet tekintve 30-szoros csökkenést jelent.