Kedvünkre nyúzhatjuk a memóriát

A Sun Microsystems-zel közös munkája eredményeként a Micron Technology nemrég beszámolhatott arról, hogy olyan NAND technológiát volt képes létrehozni, ami az úgynevezett single-level cell (SLC) felépítés élettartalmát képes kiterjeszteni. Ezek a memóriacellák immár egymillió írási ciklust is elviselnek anélkül, hogy meghibásodnának. Ez egy tipikus SLC NAND flashmemória-cella hasonló paraméterének tízszeresét jelenti – az nagyjából százezer írási ciklus után „adja be a kulcsot”.

Brian Shirley, a Micron memóriacsoportjának alelnöke szerint a technológia elsősorban a vállalati felhasználást fogja forradalmasítani. Shirley úgy vélte, hogy a tranzakció-intenzív alkalmazások fognak igazán profitálni a megnövekvő élettartalomból, ezáltal olyan helyeken is megjelenhetnek a memóriaalapú háttértárolók, ahol eddig a viszonylag kurta életciklus miatt nem kerülhettek alkalmazásba. A tömegtermelés 2009 első negyedévében indul be, és ezután debütálhatnak a 34 nanométeres, egy és többcellás NAND flash tárolók a piacon.

Szintén a témához kapcsolódik, hogy az AMD, az IBM és a Toshiba a múlt héten számoltak be a legkisebb SRAM cella létrehozásáról. A fejlesztés révén anélkül lehet nagyobb kapacitású memóriachipeket létrehozni, hogy ahhoz a korábbi példányoknál kialakított fizikai méreteket meg kellene növelni. A cella mérete egyébként mindössze 0,128 mikronégyzetméter, ezt az úgynevezett uszonyformájú térvezérlésű tranzisztortechnológia (fin-shaped Field Effect Transistor, FinFET) révén érték el.

A gyártási eljárás 22 nanométeres csíkszélességet alkalmaz, ami például a fent említett Sun-Micron technológiához képest egy generációval előrébb jár (igaz, a két memóriatípus eltér egymástól). De összehasonlíthatjuk az Intel fejlesztésével is: a nagy chipgyártó olyan lapkákat alkalmaz, melyeken 32 nanométeres gyártási eljárással alakítja ki SRAM celláit (ezek mérete 0,171 mikronégyzetméter).

Kereskedelmi forgalomba kerülésének ideje egyelőre nem ismert.