Az Intel következő generációs gyártási technológiát mutatott be

Az Intel jó úton halad afelé, hogy ez az eljárás 300 milliméteres szilíciumszeletek használatával 2005-ben gyártási fázisba jusson.

Ez az új 65 nanométeres (a nanométer a méter ezermilliomod része) eljárása nagyobb teljesítményű és alacsonyabb energiafelhasználású tranzisztorokat, az Intel feszített szilícium második generációs változatát, nagy sebességű réz átkötéseket és alacsony k-együtthatójú dielektrikumokat egyesít A 65 nanométeres eljárás lehetővé teszi az Intel számára, hogy megkétszerezze az egyetlen lapkán elhelyezhető tranzisztorok számát.

˝Ezzel az eredménnyel az Intel 65 nanométeres technológiája jó úton halad afelé, hogy meghosszabbítsa 15 éves termelési rekordunkat: vagyis hogy minden két évben kidolgozunk egy új gyártási eljárást. Mindössze 20 hónap telt el, mióta közzétettük a 90 nanométeres technológiával készült teljes funkcionalitású SRAM-okat, amelyek gyártása most van felfutóban˝ – mondta Dr. Sunlin Chou, az Intel műszaki és gyártási részlegének rangidős alelnöke és vezérigazgatója. ˝A 65 nanométeres eljárással jobb termékeket készíthetünk alacsonyabb áron, tovább folytathatjuk a kutatásokat és kiterjeszthetjük Moore törvényének érvényességét˝.

A gyártástechnológia részletei:
Továbbfejlesztett tranzisztorok: Az Intel új 65 nanométeres eljárása mindössze 35 nanométer kapuhosszúságú tranzisztorokat eredményez. amelyek a legkisebb és legmagasabb teljesítményt nyújtó tömeges gyártású CMOS-tranzisztorok lesznek. Összehasonlításul: a ma gyártott legfejlettebb tranzisztorok az Intel Pentium 4 processzoraiban találhatók, méretük 50 nanométer. A kicsi, gyors tranzisztorok a nagyon gyors processzorok építőegységei.
Nyújtott szilíciumlapkák: Az Intel nagy teljesítményt nyújtó feszített szilícium második generációs változatát építette be az eljárásba. A feszítettt szilícium nagyobb vezérlőárama révén a gyártási költségek mindössze két százalékos növelésével fokozható a tranzisztorok sebessége.
Réz átkötések és alacsony k-együtthatójú dielektrikumok: Az eljárás nyolc réteg és réz átkötések integrálásával és alacsony k-együtthatójú dielektromos anyagok felhasználásával növeli a lapkán belüli jelsebességet és csökkenti az energiafelhasználást.
Az Intel 65 nanométeres eljárását teljes mértékben funkcionális 4 megabites SRAM-lapkák készítésére használta fel, amelyek rendkívül kicsi, 0,57 négyzetmikronos cellamérettel rendelkeznek. A kis SRAM cellák nagyobb gyorsítótárak beépítését teszik lehetővé a processzorokba, amelyek teljesítménye így megnövekszik. Az SRAM cellák robusztus működési karakterisztikával rendelkeznek, stabil zajhatárral, ami igen kedvező ki-bekapcsolási jellemzőket eredményez. Minden SRAM memóriacellában hat tranzisztor van; ezek közül tízmillió férne el egy négyzetmilliméteren, vagyis durván egy golyóstoll hegyén.

A házon belüli maszkkészítő létesítmény meghosszabbítja a litográfiai eszközök élettartamát
Az Intel házon belüli maszkkészítő csapata kritikus szerepet játszik a kifinomult maszkok készítésében, amelyek a jelenlegi 193 nanométeres hullámhosszú litográfiai felszereléseket felhasználhatóvá teszik a 65 nanométeres technológiához is. A vállalat várhatóan újra fel fogja használni a jelenlegi 90 nanométeres eljárásban használt 193 és 248 nanométeres litográfiai felszereléseket is, valamint bizonyos kibővített 193 nanométeres eszközöket is. Mindez csökkenti az implementációs költségeket és kiforrott eszközöket biztosít a gyártás beindításához. A 65 nanométeres eljárás jó úton halad a tömeggyártás felé a D1D-ben és onnan kerül majd át a 2005-ös induláshoz a többi 300 milliméteres üzembe.