Az AMD állja a sarat

Nemrég adtunk hírt arról, hogy az Intel bejelentette: sikeres teszteléseket hajtott végre a 45 nanométeres gyártási technológia újszerű eljárásaival. A tranzisztorok elektromos szivárgása jelentősen csökkenhet, köszönhetően annak, hogy a vállalat egy újfajta, magas k-együtthatójú (high-k) anyagot használ a tranzisztorkapu szigeteléseként, illetve egy új fémötvözetet kapuelektródaként. Az AMD az IBM révén hasonló fejlesztéseket készül alkalmazni saját processzoraiban; a technológia létrehozásához a Toshiba és a Sony is hozzájárult.

Az Advanced Micro Devices és az International Business Machine együttműködésének köszönhetően 2008-ra indulhat be a new yorki East Fishkill gyárban a 45 nanométeres gyártási eljárással készülő processzorok tömegtermelése. Mivel az újfajta tranzisztorok előállítása nem igényli a gyártósorok teljes lecserélését, ezért költséghatékonyan jöhet létre az átállás, melynek anyagi előnyeit várhatóan a vásárlók is megérzik majd.

Az új, fémes anyag alkalmazása nemcsak csökkenti a szivárgási áram mértékét (és ezzel a lapkák fogyasztására is jótékony hatással van), hanem kiváló elektromos tulajdonságokkal is rendelkezik, még abban az esetben is, ha a most alkalmazott, év(tized)ek óta bevált szilícium-dioxidhoz hasonlítjuk. Ezzel az AMD elérheti, hogy gyártástechnológiai szempontból nem marad le jelentősen az Intelhez képest – ez utóbbinak ugyanis nem sokkal az év vége előtt jelennek csak meg 45 nanométeres, Penryn magos CPU-i a piacon.