50 GHz-es, 3D-s tranzisztorok

A japán, fejlesztéssel és kutatással foglalkozó Unisantis nemrég jelentette be, hogy olyan újfajta, 3D-s tranzisztorokat fog hamarosan létrehozni és áruba bocsátani, amik a jelenlegi chipek számítási teljesítményét tízszeresen is képesek lesznek meghaladni. A japánok ennek érdekében 24 hónapos együttműködési megállapodást kötöttek a szingapúri Mikroelektronikai Intézettel, vagyis nagyjából két éven belül várható a technika piaci megjelenése.

Az egyes összetevők háromdimenziós struktúrába való elhelyezésével egy speciális, Surrounding Gate Transistor (SGT) névre hallgató kapu hozható létre. Ezek alkalmazásával a félvezető lapkák órajele 20 és 50 GHz-es frekvencia közé skálázódhat, állítja a Unisantis. Azt, hogy emögött milyen komoly technikai és szellemi tőke áll, mi sem bizonyítja jobban, hogy a projektet Fudzsio Masuoka vezeti – az az ember, akit a világ a flash memóriák kifejlesztéséért becsül nagyra. A Unisantis alkalmazásában dolgozó japán szakember mellé további 30 tudós, mérnök és professzor csatlakozott.

Masuoka szerint az SGT-t úgy kell elképzelni, mint egy függőleges, szilíciumból álló pillért, amelyet memóriacellák, elektromos kapcsolatok és más (meg nem nevezett) alkotóelemek vesznek körül. A háromdimenziós kialakítás révén lecsökkenthető az elektronok utazási távolsága, ami egyrészt csökkenti a hőtermelődés mértékét, másrészt olcsóbban állíthatók elő a rá alapuló lapkák, mint a mai chipek. Masuoka úgy véli, ez lehet a még nagyobb teljesítményű, szilíciumra alapuló, jövőbeli processzorok fejlesztési útja.