DRAM memóriák – a vég kezdete

A múlt hét végén jelentette be az Intel, hogy miként képzeli el a 2008-as évet a memóriák tekintetében. Eszerint még az idei év vége előtt megjelenhet a PCM vagy PRAM névre keresztelt, úgynevezett fázisváltó memória – a chipgyártó gigász ugyanis még 2007-ben be kívánja indítani tömegtermelését. Ugyan elsősorban a flash adattárolók lecserélését szolgálhatja az újfajta memóriatípus, de egy nap akár a DRAM-okat is kiszoríthatja a piacról.

Miért éppen a flash? Ez utóbbi memóriacellái nagyjából 10 ezer írást képesek elviselni, mielőtt tönkremennének, viszont a PCM sokkal kitartóbb: az Intel állítása szerint nem okoz gondot 100 millió írási ciklus végrehajtása sem. Ezt pedig az alapanyagok megváltoztatásával érték el – az Intel által 2000-ben licencelt technológia (amelyet eredetileg az Ovonyx fejlesztet ki) ugyanazt az anyagot használja, mint amit a CD-RW és DVD-RW esetében alkalmaznak. Ezekben a bináris értékeket kristályos és amorf állapotok jelölik – a közöttük való váltás 500-szor gyorsabban történik, mint a flash-ben, ráadásul ez utóbbi íráskor jelentkező fogyasztásának csak a felét igényli a PCM.

Az IBM szerint akár 3 nanométeres gyártási eljárással is készíthetők lesznek ilyen memóriák, igaz, ezt csak 2015-re teszi a Kék Óriás. Az Intel 90 nanométeres példányai azonban még idén realitássá válhatnak; ezek körülbelül ugyanakkora teljesítményigénnyel rendelkeznek, mint a flash memóriák. Mindemellett megbízhatóságuk több mint 10 év, a chipgyártó állítása szerint – még elektronikai eszközöknél magasnak számító, 85 fokos hőmérséklet mellett is.

Habár az Intel idén tervezi beindítani a tömeggyártást, nem az egyetlen nagy szereplője a piacnak, amelyik nemsokára PCRAM-mal rukkolhat ki. A Lockheed Martin 1999-ben, az STMicroelectronics a rákövetkező évben, míg a Nanochip 2004-ben kötött hasonló megállapodást az Ovonyxszal. Az Elpida és a Samsung 2005-ben csatlakozott a fázisváltó memóriákat licencelő vállalatok táborához, míg a Qimonda idén írt alá hasonló megállapodást.