100 GB-os memóriakártyák

Minden miniatürizálási eljárássorozatot fenyeget a természeti korlátok elérésének réme. Az egyre olcsóbbá és nagyobb kapacitásúvá váló flash memóriáknál a jelenlegi technológia valahol 22-32 nanométeres gyártási eljárásnál ér lehetőségeinek határaihoz. Dél-koreai kutatók azonban nemrég felfedeztek egy új eljárást: szén nanocsövek alkalmazásával akár a 10 nanométeres félvezetőelemek előállítása is elérhetővé válhat.

A Nature Nanotechnology újságban publikált kutatás szerint ezzel az új anyaggal és gyártási eljárással a jelenlegi processzoroknál alkalmazott (65 nanométeres) gyártás léptéke hatodára csökkenthető. Olyan vezetőszálakat sikerült létrehozni, amelyek az emberi hajszál vastagságának mindössze 12 ezred részét teszik ki. Mindazonáltal nem a flash memóriáknál debütálna egyedül a nanocsöves megoldás: az idei év során már megjelenhet az NRAM, mely a hagyományos DRAM-okat váltaná le. Alacsonyabb energiafogyasztás mellett kínál magasabb teljesítményt, tehát ideális lépésnek tűnik – amint sikerül a gyártási költségeket lejjebb szorítani.

Nemrég a Seagate is kijelentette, hogy a memórialapú adattárolók előbb-utóbb leválthatják a merevlemezeket, mivel a mágneses adatrögzítési módszerekhez képest sokkal dinamikusabban növelik tárterületüket ugyanannyi idő alatt, köszönhetően az intenzív fejlesztéseknek. Ma már boltban kaphatók 8 GB-os kapacitással bíró memóriakártyák is, de a dél-koreai kutatók szerint nincs messze az az idő sem, amikor a több mint 100 GB-os kapacitású flash tárolók is megvehetők lesznek.