Connect with us

technokrata

Az Intel következő generációs gyártási technológiát mutatott be

Laptop

Az Intel következő generációs gyártási technológiát mutatott be

Az Intel teljes funkcionalitású SRAM (Static Random Access Memory) lapkákat készített 65 nanométeres technológia – a legújabb generációs, nagyteljesítményű félvezető-gyártási eljárás – használatával.

Az Intel jó úton halad afelé, hogy ez az eljárás 300 milliméteres szilíciumszeletek használatával 2005-ben gyártási fázisba jusson.

Ez az új 65 nanométeres (a nanométer a méter ezermilliomod része) eljárása nagyobb teljesítményű és alacsonyabb energiafelhasználású tranzisztorokat, az Intel feszített szilícium második generációs változatát, nagy sebességű réz átkötéseket és alacsony k-együtthatójú dielektrikumokat egyesít A 65 nanométeres eljárás lehetővé teszi az Intel számára, hogy megkétszerezze az egyetlen lapkán elhelyezhető tranzisztorok számát.

˝Ezzel az eredménnyel az Intel 65 nanométeres technológiája jó úton halad afelé, hogy meghosszabbítsa 15 éves termelési rekordunkat: vagyis hogy minden két évben kidolgozunk egy új gyártási eljárást. Mindössze 20 hónap telt el, mióta közzétettük a 90 nanométeres technológiával készült teljes funkcionalitású SRAM-okat, amelyek gyártása most van felfutóban˝ – mondta Dr. Sunlin Chou, az Intel műszaki és gyártási részlegének rangidős alelnöke és vezérigazgatója. ˝A 65 nanométeres eljárással jobb termékeket készíthetünk alacsonyabb áron, tovább folytathatjuk a kutatásokat és kiterjeszthetjük Moore törvényének érvényességét˝.

A gyártástechnológia részletei:
Továbbfejlesztett tranzisztorok: Az Intel új 65 nanométeres eljárása mindössze 35 nanométer kapuhosszúságú tranzisztorokat eredményez. amelyek a legkisebb és legmagasabb teljesítményt nyújtó tömeges gyártású CMOS-tranzisztorok lesznek. Összehasonlításul: a ma gyártott legfejlettebb tranzisztorok az Intel Pentium 4 processzoraiban találhatók, méretük 50 nanométer. A kicsi, gyors tranzisztorok a nagyon gyors processzorok építőegységei.
Nyújtott szilíciumlapkák: Az Intel nagy teljesítményt nyújtó feszített szilícium második generációs változatát építette be az eljárásba. A feszítettt szilícium nagyobb vezérlőárama révén a gyártási költségek mindössze két százalékos növelésével fokozható a tranzisztorok sebessége.
Réz átkötések és alacsony k-együtthatójú dielektrikumok: Az eljárás nyolc réteg és réz átkötések integrálásával és alacsony k-együtthatójú dielektromos anyagok felhasználásával növeli a lapkán belüli jelsebességet és csökkenti az energiafelhasználást.
Az Intel 65 nanométeres eljárását teljes mértékben funkcionális 4 megabites SRAM-lapkák készítésére használta fel, amelyek rendkívül kicsi, 0,57 négyzetmikronos cellamérettel rendelkeznek. A kis SRAM cellák nagyobb gyorsítótárak beépítését teszik lehetővé a processzorokba, amelyek teljesítménye így megnövekszik. Az SRAM cellák robusztus működési karakterisztikával rendelkeznek, stabil zajhatárral, ami igen kedvező ki-bekapcsolási jellemzőket eredményez. Minden SRAM memóriacellában hat tranzisztor van; ezek közül tízmillió férne el egy négyzetmilliméteren, vagyis durván egy golyóstoll hegyén.

A házon belüli maszkkészítő létesítmény meghosszabbítja a litográfiai eszközök élettartamát
Az Intel házon belüli maszkkészítő csapata kritikus szerepet játszik a kifinomult maszkok készítésében, amelyek a jelenlegi 193 nanométeres hullámhosszú litográfiai felszereléseket felhasználhatóvá teszik a 65 nanométeres technológiához is. A vállalat várhatóan újra fel fogja használni a jelenlegi 90 nanométeres eljárásban használt 193 és 248 nanométeres litográfiai felszereléseket is, valamint bizonyos kibővített 193 nanométeres eszközöket is. Mindez csökkenti az implementációs költségeket és kiforrott eszközöket biztosít a gyártás beindításához. A 65 nanométeres eljárás jó úton halad a tömeggyártás felé a D1D-ben és onnan kerül majd át a 2005-ös induláshoz a többi 300 milliméteres üzembe.



Szólj hozzá!

További Laptop

Technokrata a Face-en

Tesztek