Connect with us

Hirdetés

technokrata

Új memóriatechnológiák a Samsungtól

Laptop

Új memóriatechnológiák a Samsungtól

A Samsung Electronics bejelentette a memóriatechnológiák új generációjának fejlesztését, amelyet a gyorsan változó digitális környezet követelményeinek kielégítésére hoztak létre.

A tervezés és a gyártás területén iparági vezető szerepét kihasználva, a Samsung bemutatta a világ első 70 nanométeres (nm) 4 Gigabit (Gb) kapacitású NAND Flash memóriáját és egy 80 nm-es DRAM eszközt.

Emellett a vállalat bemutatott egy Fusion Memory nevű egylapkás memóriamegoldást, amely a többlapkás csomagot és a rendszercsomag koncepciót viszi tovább a memóriát és a logikát egyesítő termék felé.
˝A Samsung nagy befektetéseket preferáló stratégiája a következő generációs tervezés és gyártási technológiák területén lehetővé tette a vállalat számára egy egyedi, fejlett memóriaportfolió kialakítását. Ezek a fejlett memóriaeszközök arra készültek, hogy kielégítsék a holnap digitális piacának konvergenciából és mobilitásból fakadó kihívásait˝ – mondta Dr. Chang Gyu Hwang, a Samsung memória divíziójának elnöke. ˝A különálló memóriakomponensek a mobil és a digitális fogyasztói piacok digitális konvergenciából fakadó követelményeit nehezen teljesítik. A Samsung fejlett memóriamegoldásai kulcsszerepet fognak játszani a digitális termékek új generációjának életre hívásakor˝.

4 Gb NAND Flash memória 70 nm-es technológiával
A Samsung világ első 4 Gb kapacitású NAND flash memóriája a NAND flash memóriák negyedik generációja, amely a növekedési görbét követve évente megkétszerezi a kapacitását: 256 Mb 1999-ben, 512 Mb 2000-ben, 1 Gb 2001-ben, 2 Gb 2002-ben és 4 Gb 2003-ban. A 4 Gb NAND flash fejlesztése megmutatja a NAND memóriában rejlő hatalmas növekedési lehetőségeket.

Az új, magasabb kapacitási szinteken esetén a nem felejtő memória már most is jó választás a monolit adattároló eszközök területén, kiváltva a mágnesszalagokat és kis kapacitású merevlemezes meghajtókat. A NAND flash memória a méret-, súly- és teljesítménykorlátokkal rendelkező mobil alkalmazásokat, például notebook számítógépeket, táblaszámítógépeket, mobiltelefonokat, MP3 lejátszókat és PDA eszközöket célozza.

A Samsung 4 Gb NAND flash memória 70 nm-es csomóponttervezéssel készül a 0,025 négyzetmikrométer memóriacella méret eléréséhez, mely jelenleg a legkisebb az iparágon belül. A 4 Gb NAND flash memória az iparág első eszköze, mely 300 angström méretű wolfram kaput használ, amely csökkenti a cellák közötti ellenállást és a zajszintet, így nagyobb teljesítményt kínál a több gigabites memóriákhoz. A Samsung azt reméli, hogy az új wolfram kapu alkalmazható lesz 50 nm-es technológiákhoz is.

A 70 nm-es csomópont technológia lehetőséget nyújt a gazdaságosság növelésére is. A 70 nm-es és a korábbi 90 nm-es egyszerű összevetése alapján a termelés 50 százalékkal növekszikA NAND flash memória globális piaca várhatóan a 2003. évi 3 milliárd dollárról 2007-re 16 milliárd dollárra növekszik, ezzel alig négy év leforgása alatt több mint ötszörös mennyiségnövekedést mutatva. A Samsung 65 százalékos piaci részesedésével reméli vezető szerepének megtartását a NAND flash piac területén. A vállalat a 2001. évi 400 millió dollárról 2002-re 1,1 milliárd dollárra növelte bevételét, és folyamatosan 70 százalékos éves növekedést céloz meg a NAND Flash eladásokban.

DRAM 80 nm-es technológiával
A DRAM technológia területén a Samsung egy 80 nm-es technológiával készülő 512 Mb kapacitású monolit eszközt mutat be. Az új eszköz a Recess Channel Array Transistor (RCAT) technológiát alkalmazza az adatfrissítési jellemzők továbbfejlesztéséhez. A DRAM 80 nm-es csomópont technológiájának bemutatása egy, a lineáris cellaszerkezetnél kisebb területet igénylő háromdimenziós tervezési technológiát vezet be. Az RCAT technológia a DRAM áramkör kapcsolási sémájában minden kondenzátorhoz egy háromdimenziós tranzisztort párosít, így minimalizálja a cellaméretet a kapacitás jelentős fejlesztéséhez. Az új DRAM kis ellenállású wolfram kapukat használ a nagyobb teljesítmény és kis hőmérséklet eléréséhez, és egy nagy k tényezőjű oxidra épülő folyamattal 1,5 V alá csökkenti a feszültségigényt, így megfelel a DDR3 DRAM memóriák egyik szokványos jellemzőjének. A legmagasabb színvonalú technológia tömeggyártása 1 Gb-es és 512 Mb-es kapacitással, másodpercenként 3 Gigabit és annál gyorsabb sebességekkel kezdődik meg.

Fusion Memory
Az új 4 Gb NAND flash és 80 nm DRAM eszközök mellett a Samsung bemutatott egy Fusion Memory nevű új memóriatervezési koncepciót. A Fusion Memory egy integrált, egylapkás memória, amely egyesíti a nagy sűrűségű memóriát és logikát, és szoftveresen is elérhető. Az első Fusion Memory eszköz a OneNAND nevű, egy szilíciumlapkára épített, logikai felülettel rendelkező 512 Mb kapacitású NAND flash memória. A OneNAND elérhetősége csökkenteni fogja a rendszergyártók költségeit és a piacra kerülés időtartamát, mivel nem lesz szükség a NAND flash körüli rendszerkörnyezet optimalizálására. A Samsung arra számít, hogy az új technológia segíti a csak NAND memóriákra épülő rendszerek elfogadását a NOR Flash+memória kombinációk helyettesítő megoldásaként a nagy adatfeldolgozási teljesítményt igénylő alkalmazásokban.



Szólj hozzá!

További Laptop

Hirdetés

Népszerű

Hirdetés

Technokrata a Facebookon

Hirdetés

IoT-Magazin.hu

Hirdetés

Kütyük

Smart home

Így képzelik el a magyarok az álomotthonukat

2024. március 20. szerda

Office

Foglalj helyet, hogy helyet foglalhass!

2024. március 13. szerda

Smart home

Okoskészülék vagy hagyományos háztartási gép?

2024. február 28. szerda
owlet care babafigyelő

Smart home

OWLET CARE a magyarországi piacon!

2024. február 26. hétfő
Hirdetés

Dotkom

Műszaki-Magazin.hu

Hirdetés