Connect with us

technokrata

Intel: fény vagy anyag – melyik gyorsabb?

Laptop

Intel: fény vagy anyag – melyik gyorsabb?

Úgy tűnik, az Intel nem engedi veszni Moore törvényét. Az új technológia a fénynél nagyobb sebességet biztosít?

A Nemzetközi Elektronikai Eszközök találkozóján az Intel bemutatja az újratervezett tranzisztort, mellyel megoldani tervezi az energiafogyasztás növekedéséből adódó problémákat. Ha előretekintünk az időben – és az Intel mérnökei ezt megtették -, akkor látható, hogy a fokozatosan növekvő számú tranzisztor egy chipbe zsúfolásával a működéshez szükséges energia is növekszik.

Tudvalevő, hogy Intel az optikai megoldással is kísérletezik, azonban a jelenlegi, újratervezett hagyományos tranzisztor nem teszi ”annyira” sürgőssé a fénnyel működő, de még csak a kísérletezés kezdeti stádiumában lévő tranzisztorok bevezetését.

Konkrétan: 2007-re már milliárdnyi tranzisztort fognak egy processzorba integrálni (ma egy P4-esben 42 millió van), de ez ugyanakkora teljesítményfelvétellel fog járni, mint ma. Ekkora mennyiség több billió kapcsolást jelent másodpercenként (összehasonlításul: egy embernek 15 ezer évre lenne szüksége ugyanekkora teljesítmény végrehajtásához).

Rob Willoner, az Intel kutatócsoportjának egyik mérnöke szerint hamarosan érvényét vesztheti Moore törvénye, ha nem történik valami változás. A törvény szerint minden 18 hónapban megduplázódik a tranzisztorok száma a chipekben, ami a tranzisztorok méretének csökkenéséből adódik. Sajnálatosan a kisebb és gyorsabb elemek energiaigénye nagyobb, mint a régebbieké, ezért több hőt is termelnek. Nagy mennyiségben ez már gondot okoz. Egy kutató találó megjegyzése szerint: ”Régen barátunk volt a fizika. Ma ellenségünk.”

A találkozón konkrét technikákat mutatnak be, mint például az Intel által korábban kritizált szilikon a szigetelésen (silicon-on-insulator – SOI) technológia (az IBM féle SOI megoldás ugyanolyan hatékony, mint az Intelé, de nem környezetbarát). A chipgyártó óriás Terahertz nevű tranzisztorától várja a megoldást. A Terahertz három újítással rendelkezik a régebbi típusokhoz képest: a tranzisztorok source és drain rétege vastagabb, illetve szennyezettebb, ezen két réteg alá ultravékony SOI szigetelőréteg van beágyazva, valamint a gate oxidrétegének (ami köti a gate-et a source-hoz és a drain-hez) kémiai összetevője más, mint korábban. Az újításoknak köszönhetően kisebb, alacsonyabb energiaigényű / nagyobb teljesítményű tranzisztorok készíthetők. Az ötlet nem állt meg ezen a szinten, tervezik, hogy a gate oxidrétegét a jelenlegi szilikon-oxidról alumínium- vagy titán-oxidra cserélik.

E technológiai változások nem egyszerre fognak megjelenni a processzorokban, de az évtized második felére már mindegyik jellemzője lesz az Intel chipjeinek.



Szólj hozzá!

További Laptop

Technokrata a Face-en

Tesztek