A Samsung elsőként jelenik meg a piacon mobilokba szánt NAND DDR MCP memóriával

A megoldás leegyszerűsíti a nagyfelbontású videó- és játék szolgáltatások kis méretben és kis fogyasztással történő megvalósítása során felmerülő tervezési problémákat a harmadik generációs mobilkészülékek tervezésekor.

˝A Samsung többlapkás megoldása új utat nyit a jövő alacsony fogyasztású, helytakarékos, vezető technológiát használó memóriaközpontú megoldásai számára, melyek a vezeték nélküli készülékek piacát célozzák˝ – mondta Ivan Greenberg, a Samsung Semiconductor, Inc. stratégiai marketingért felelős igazgatója. ˝A fejlett memória- és tokozási technológia lehetőséget biztosít a vizuálisan gazdag felhasználói felület kialakítására anélkül, hogy kompromisszumokat kellene kötni a készülék energiafogyasztása vagy helyigénye terén.˝

A SAMSUNG mobil DDR megoldása a mobil környezet speciális igényeinek megfelelően készült. Minden csatlakozás akár 200 megabitnyi adatot továbbíthat másodpercenként, kétszer annyit, mint a mai mobiltelefonokban használt SDRAM megoldások. A 256 megabites mobil DDR SDRAM pedig akár 400 megabájtnyit adatot továbbít másodpercenként. Az ilyen szintű sávszélesség ösztönzi a kiváló minőségű videofilmek megjelenítését és felvételét, az 1,8 voltos feszültség pedig a mobil alkalmazásokban különösen fontos kis fogyasztást támogatja.

Ez a lapkacsomag egyféle kapcsolódást ajánl a DRAM típusától (DDR vagy SDR), a DRAM méretétől, a DRAM adatbusz szélességétől, a NAND méretétől és a NAND adatbusz szélességétől függetlenül. Ennek köszönhetően leegyszerűsödik a készülékek alaplapjának tervezése, hiszen a lapkák számával és elrendezésével kapcsolatos döntési pontok száma csökken. A hatalmas előny az áramkörök tervezési költségének csökkenése.

A két NAND Flash eszköz akár egy órányi videofilm tárolását teszi lehetővé. A NAND a telefon elindításához használt vezérlő- és lapkakészlet firmware-jének használatával optimalizálható, így nincs szükség NOR eszközökre a készülékben. A fogyasztás további csökkentése érdekében a NAND Flash magja és be-/kimenetei teljes egészében 1,8 V feszültségen működnek.

A mobil DDR eszköz Delay Locked Loop (DLL) és feszültségreferencia (Vref) funkciói megszűntek a fogyasztás csökkentése érdekében, mely így jelentősen kisebb a nagy sebességű PC-kben használatos DDR memóriákénál. A belső hőkompenzált önfrissítő áramkör automatikusan beállítja a DRAM önfrissítési idejét a hőmérséklet változásának megfelelően, így meghosszabbítja a telefon készenléti és beszélgetési idejét.

A mobil DDR lapkacsomag megfelel a nemzetközi szabványoknak és a JEDEC szabványok teljes skáláját támogatja, beleértve a ˝deep power down mode˝, ˝programmable driver strength˝ és ˝partial array/self-refresh˝ funkciókat is.

A Samsung 1,8 V 256 Mb mobil SDRAM és 1,8 V 256 Mb DDR SDRAM megoldásokat a főbb telefongyártók február óta tesztelik, és az eredmények szerint a termékek együttműködnek a telefonok alaplapjaival. Az 1,8 V lapkacsomagra épülő memória-megoldásokból már most rendelkezésre állnak mintadarabok.